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长鑫存储申请半导体结构、存储器和存储器的制造方法专利,提高半...金融界2024年11月28日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构、存储器和存储器的制造方法”的专利,公开号CN 119031698 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构、存储器和存储器的制造是什么。

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长鑫存储申请半导体结构、存储器及其操作方法专利,反熔丝位结构的...金融界2024年1月19日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构、存储器及其操作方法“公开号CN117425344A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本公开提供一种半导体结构、存储器及其操作方法,所述半导体结构包括:衬底;位于所述衬底表面好了吧!

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长鑫存储申请半导体结构以及存储器专利,有利于降低半导体结构的...金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构以及存储器”的专利,公开号CN 118782117 A,申请日期为2023年3月。专利摘要显示,本公开实施例涉及半导体技术领域,提供一种半导体结构以及存储器,半导体结构包括:存储阵列后面会介绍。

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长鑫存储申请半导体装置、存储器及电子设备专利,确定芯片执行命令...金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体装置、存储器及电子设备”的专利,公开号CN 118782112 A,申请日期为2023年3月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种半导体装置、存储器及电子设备,其中半导体装置包括:第一芯片等我继续说。

长鑫存储申请半导体结构及存储器专利,降低热电子诱导穿通效应金融界2024年3月8日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及存储器“公开号CN117673124A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种半导体结构及存储器,涉及半导体技术领域,用于改善热电子诱导穿通效应的技术问题。..

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长鑫存储申请半导体结构以及存储器专利,实现更高效的半导体结构设计金融界2024年3月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构以及存储器“公开号CN117690909A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开实施例公开了一种半导体结构以及存储器,其中,所述半导体结构包括:多个有源区;位线选择单元,包括还有呢?

长鑫存储取得半导体结构、存储装置、半导体器件及其制造方法专利,...金融界2024年2月10日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构、存储装置、半导体器件及其制造方法“授权公告号CN109390304B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示,本公开是关于提供一种半导体结构、存储装置、半导体器件及半导体器件后面会介绍。

长鑫存储申请晶体管、半导体结构、存储器及其形成方法专利,提供...金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“晶体管、半导体结构、存储器及其形成方法“公开号CN117790564A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种晶体管、半导体结构、存储器及半导体结构的形成方法、存储还有呢?

长鑫存储申请版图结构、半导体结构以及存储器专利,该半导体结构...金融界2024年3月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“版图结构、半导体结构以及存储器“公开号CN117688889A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开实施例提供了一种版图结构、半导体结构以及存储器,该半导体结构包括:逻辑器件,包括位后面会介绍。

长鑫存储取得一种半导体薄膜形成方法、半导体结构及存储器专利金融界2024年10月23日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种半导体薄膜形成方法、半导体结构及存储器”的专利,授权公告号CN 116133367 B,申请日期为2021年8月。

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