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武汉新芯集成电路股份有限公司申请校验码产生方法及存储器专利,...金融界2024年10月24日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“校验码产生方法及存储器”的专利,公开号CN 118796540 A,申请日期为2024年9月。专利摘要显示,本申请公开了一种校验码产生方法及存储器,该校验码产生方法先基于第一地址数据说完了。

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武汉新芯集成电路股份有限公司取得一种电容器件及电容器件的制造...金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“一种电容器件及电容器件的制造方法”的专利,授权公告号CN 118613148 B,申请日期为2024年8月。

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...公司46%的股权,出资设立私募基金投资武汉新芯集成电路制造有限公司金融界11月26日消息,有投资者在互动平台向立昂技术提问:你好,据说贵司有并购某些互联网公司意思,参股北京立同,武汉新芯半导体等公司是否属实?公司回答表示:公司持有北京立同新元科技有限公司46%的股权。公司作为有限合伙人与普通合伙人北京恒盛融通投资管理有限公司以及等会说。

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立昂技术:共同出资设立私募基金,投资武汉新芯集成电路制造有限公司...金融界3月7日消息,有投资者在互动平台向立昂技术提问:您好,贵司和私募基金所投资的集成电路半导体公司主要业务是什么?公司回答表示:公等我继续说。 其对外投资标的武汉新芯集成电路制造有限公司于2006年在武汉成立,可提供40nm及以上工艺制程的12英寸NOR Flash、CIS和Logic晶圆代工等我继续说。

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武汉新芯取得一种电容器件及电容器件的制造方法专利金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“一种电容器件及电容器件的制造方法”的专利,授权公告号CN 118591277 B,申请日期为2024 年8 月。

武汉新芯取得背照式图像传感器基板及制造方法专利金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“背照式图像传感器基板及背照式图像传感器的制造方法”的专利,授权公告号CN 112366211 B,申请日期为2020年11月。

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武汉新芯取得半导体器件及其制造方法专利金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利,授权公告号CN 114068534 B,申请日期为2021年11月。

武汉新芯取得图像传感器测试结构及图像传感器结构专利金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“图像传感器测试结构及图像传感器结构”的专利,授权公告号CN 118588690 B,申请日期为2024年8月。

武汉新芯取得半导体器件及其制程方法专利金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其制程方法”的专利,授权公告号CN 114373717 B,申请日期为2021年12月。

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武汉新芯取得芯片提取装置及芯片提取方法专利金融界2024年11月30日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“芯片提取装置及芯片提取方法”的专利,授权公告号CN 114038784 B,申请日期为2021年11月。

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